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SILICON POWERSILICON POWER DDR3 8GB 1600MHz CL11 SO-DIMM 1.35V Low Voltage | 3589696SILICON POWER DDR3 8GB 1600MHz CL11 SO-DIMM 1.35V Low Voltage | 3589696Especificação Fator de forma de memória SO-DIMM de 204 pinos Latência CAS 11 Configuração do módulo 512M x 8 Memória interna 8 GB Velocidade do clock da memória 1600 MHz Voltagem de memória 1,35 V Layout de memória (módulos x tamanho) 1x8 GB Tipo de memória interna DDR3L Componente para Computador portátil ETC Não Código do Sistema Harmonizado (SH) 84733020 Tipo de memória bufferizada Não registrado (sem buffer) > memórias ram portátil6790NovoProduto disponível

SILICON POWER DDR3 8GB 1600MHz CL11 SO-DIMM 1.35V Low Voltage | 3589696

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SILICON POWER
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Especificação
Fator de forma de memória SO-DIMM de 204 pinos
Latência CAS 11
Configuração do módulo 512M x 8
Memória interna 8 GB
Velocidade do clock da memória 1600 MHz
Voltagem de memória 1,35 V
Layout de memória (módulos x tamanho) 1x8 GB
Tipo de memória interna DDR3L
Componente para Computador portátil
ETC Não
Código do Sistema Harmonizado (SH) 84733020
Tipo de memória bufferizada Não registrado (sem buffer)