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SILICON POWERMEMORIA RAMM DDR3 4GB SILICON POWER 1600MHz CL11 SO-DIMM 1.35V Low Voltage SP004GLSTU160N02MEMORIA RAMM DDR3 4GB SILICON POWER 1600MHz CL11 SO-DIMM 1.35V Low Voltage SP004GLSTU160N02O módulo de memória Silicon Power oferece desempenho e eficiência confiáveis para as suas necessidades informáticas. Com uma capacidade de 4 GB, esta SDRAM DDR3L garante um funcionamento suave, seja para tarefas diárias ou aplicações intensivas. A sua baixa tensão de 1,35 V torna-a uma escolha energeticamente eficiente, ajudando a prolongar a vida útil da bateria em dispositivos compatíveis. Com uma velocidade de memória de 1600 MHz e conformidade com as especificações PC3L-12800, este módulo SO-DIMM foi concebido para um processamento rápido de dados. As características não ECC e sem buffer da memória aumentam a confiabilidade, enquanto o layout de classificação única e a tecnologia avançada On-Die Termination proporcionam um desempenho equilibrado para várias tarefas informáticas. Nome do produto : SILICON POWER DDR3 4GB 1600MHz CL11 SO-DIMM 1.35V Low Voltage Descrição: SILICON POWER - DDR3L - módulo - 4 GB - SO DIMM 204-pinos - 1600 MT/s / PC3L-12800 - 1.35 V - unbuffered - sem ECC Código EAN: 4712702631234 Garantia do fabricante : Geral Capacidade: 4 GB Tipo de actualização: Genérico Memória Tipo: DRAM módulo de memória Tecnologia: DDR3L SDRAM Factor de forma: SO DIMM 204-pinos Altura do Módulo (polegadas): 1.19 Velocidade: 1600 MT/s (PC3L-12800) Verificação de integridade dos dados: Sem ECC Recursos: Fileira simples, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), Baixa Voltagem, unbuffered Organização dos Chips: 512 x 8 Voltagem: 1.35 V Revestimento de terminais: Ouro > memórias ram portátil1990NovoProduto disponível

MEMORIA RAMM DDR3 4GB SILICON POWER 1600MHz CL11 SO-DIMM 1.35V Low Voltage SP004GLSTU160N02

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O módulo de memória Silicon Power oferece desempenho e eficiência confiáveis para as suas necessidades informáticas. Com uma capacidade de 4 GB, esta SDRAM DDR3L garante um funcionamento suave, seja para tarefas diárias ou aplicações intensivas. A sua baixa tensão de 1,35 V torna-a uma escolha energeticamente eficiente, ajudando a prolongar a vida útil da bateria em dispositivos compatíveis. Com uma velocidade de memória de 1600 MHz e conformidade com as especificações PC3L-12800, este módulo SO-DIMM foi concebido para um processamento rápido de dados. As características não ECC e sem buffer da memória aumentam a confiabilidade, enquanto o layout de classificação única e a tecnologia avançada On-Die Termination proporcionam um desempenho equilibrado para várias tarefas informáticas.

Nome do produto : SILICON POWER DDR3 4GB 1600MHz CL11 SO-DIMM 1.35V Low Voltage
Descrição: SILICON POWER - DDR3L - módulo - 4 GB - SO DIMM 204-pinos - 1600 MT s PC3L-12800 - 1.35 V - unbuffered - sem ECC
Código EAN: 4712702631234
Garantia do fabricante :
Geral
Capacidade: 4 GB
Tipo de actualização: Genérico
Memória
Tipo: DRAM módulo de memória
Tecnologia: DDR3L SDRAM
Factor de forma: SO DIMM 204-pinos
Altura do Módulo (polegadas): 1.19
Velocidade: 1600 MT s (PC3L-12800)
Verificação de integridade dos dados: Sem ECC
Recursos: Fileira simples, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), Baixa Voltagem, unbuffered
Organização dos Chips: 512 x 8
Voltagem: 1.35 V
Revestimento de terminais: Ouro