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Micron DDR4 módulo 16 GB SO DIMM 260-pinos 3200 MHz PC4-25600 CL22 1.2 V unbuffered ECC
A SDRAM Micron DDR4 (Double Data Rate 4) é uma memória dinâmica de acesso aleatório de alta velocidade configurada internamente como uma DRAM de 8 bancos para a configuração x16 e como uma DRAM de 16 bancos para as configurações x4 e x8. Esses dispositivos de alta densidade permitem que os designers de sistema aproveitem mais memória disponível com o mesmo número de posicionamentos, o que pode ajudar a aumentar a largura de banda ou o conjunto de recursos suportados de um sistema. A memória DDR4 também pode permitir que os designers mantenham a mesma densidade com menos posicionamentos, o que ajuda a reduzir custos.
A memória SDRAM DDR4 da Micron é rigorosamente testada para as necessidades extremas de temperatura e desempenho de aplicações industriais e automotivas. > memórias ram portátil21890NovoProduto esgotado
Micron DDR4 módulo 16 GB SO DIMM 260-pinos 3200 MHz PC4-25600 CL22 1.2 V unbuffered ECC
A SDRAM Micron DDR4 (Double Data Rate 4) é uma memória dinâmica de acesso aleatório de alta velocidade configurada internamente como uma DRAM de 8 bancos para a configuração x16 e como uma DRAM de 16 bancos para as configurações x4 e x8. Esses dispositivos de alta densidade permitem que os designers de sistema aproveitem mais memória disponível com o mesmo número de posicionamentos, o que pode ajudar a aumentar a largura de banda ou o conjunto de recursos suportados de um sistema. A memória DDR4 também pode permitir que os designers mantenham a mesma densidade com menos posicionamentos, o que ajuda a reduzir custos.
A memória SDRAM DDR4 da Micron é rigorosamente testada para as necessidades extremas de temperatura e desempenho de aplicações industriais e automotivas.
Micron DDR4 módulo 16 GB SO DIMM 260-pinos 3200 MHz PC4-25600 CL22 1.2 V unbuffered ECC
CARACTERÍSTICAS
Otimizado para custo/desempenho/capacidade e taxas de dados de até 3200Mb/sAumenta a largura de banda em até 50% em relação à DDR3
O baixo dreno de tensão de 1,2V (Core e E/S) reduz a demanda de energia da memória
Os recursos de economia de energia podem reduzir os requisitos totais de energia em 35% em relação à DDR3
O modo de teste de conectividade permite a detecção antecipada de falhas durante o teste do sistema para reduzir o tempo de depuração, economizando custos de desenvolvimento e produção
Almofadas de ligação central para o mais alto desempenho e o menor custo
Melhoria na integridade do sinal de dados e confiabilidade do sistema; ODT, DBI, Paridade de Comando/Endereço e CRC
Suporta até 16Gb de densidade de matriz única
Suporte a pacotes multi-rank
Subsistema de memória de maior capacidade com empilhamento de até 4 matrizes
Disponível nos pacotes FBGA-78 e FBGA-98
Opções de temperatura de operação
0°C a +95°C
-40°C a +95°C
-40°C a +105°C
-40°C a +125°C
APLICATIVOS
Servidores em nuvem e datacentersAutomotivo
Coaching interativo de bem-estar e monitoramento personalizado de saúde
IoT Industrial e Indústria 4.0
PCs para jogos
Servidores de vigilância de borda e por vídeo
Micron DDR4 módulo 16 GB SO DIMM 260-pinos 3200 MHz PC4-25600 CL22 1.2 V unbuffered ECC
EAN:
251.90 €
